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45nm Penryn之制程改进
正如前文所说，制程的改进，不仅可以缩小芯片尺寸，减小晶原瑕疵对制造厂家造成的利润损失，而且对用户来说，还可以减小处理器的功耗和发热量，有时还可以提高处理器的可超性。我们接下来就看看新45nm Penryn系列在制程方面取得的新突破！
在45nm Penryn家族处理器中，采用了最新的高介电常数+金属门极晶体管技术，这项新技术的原理如下图所示。
下图是采用传统结构的65nm制程微晶体管与45nm Penryn中的微晶体管的实物图片对比：
根据Intel的数据，45nm Penryn中的晶体管新结构使开关速度提高20%以上，开关的功耗则只有原来的30%左右，而允许的晶体管密度也增加了2倍左右。
上图是Intel提供的45nm Penryn四核处理器Yorkfield 2.66GHz，与同频的65nm Kentsfield 四核处理器的效能和功耗对比测试结果。从测试结果可见，由于采用了新制程和新结构，新的45nm Yorkfield处理器比65nm的老四核具备更高的性能和更低的功耗！
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| 本篇关键词：intel/处理器/芯片组/45nm/2008
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| 文章来源：007在线(福建小熊)
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