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新星的诞生！
早听说Intel 赛扬D 352 65nm性能特别强悍!而且都具有不错的超频性能，到底Intel在65nm工艺中加入了什么新的技术特性呢？我们先来看一下65纳米制造工艺细节。
65纳米制造工艺细节
65纳米（1纳米等于十亿分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片将使英特尔能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。65nm晶体管不仅在尺寸上比90nm产品更小，而且还会降低能耗并减少电流泄漏。
采用新型低-K电介质材料的铜互连 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八个铜互连层，使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。
65nm工艺将把泄漏降低四倍，同时与90nm晶体管相比性能却不会降低。其秘密在于英特尔的“应变硅”技术。当然，它在90nm工艺中也使用了应变硅，但在65nm节点中使用的却是第二代产品，它能够在使晶体管性能提高10%-15%的同时却不会增加泄漏。 65nm工艺还采用了Low K介电质，这种材料能够进一步限制泄漏。该工艺采用的是8层排列的铜线互连。
65纳米新制程，赛扬D再次得到升级
根据相关的资料显示，Intel将会在2006年剩下的几个月时间，迅速完成90纳米到65纳米生产工艺的过渡，届时，Intel将再次拿起产量和成本这两个重量型武器来打压AMD。而AMD基于65纳米的K8处理器，最快也要到07年的第二季度才能正式登陆，从产能角度上讲再次输给了Intel。
根据Intel最新发展蓝图展示，全新的65纳米制程工艺，将会同时使用在旗下的双核和单核处理器中。双核版本，核心代号分别为Conroe和Allendale的Core 2 Duo/Core 2 Extreme处理器，就是完全启用了全新的65纳米工艺制程，采用了单硅片设计，在一块的硅片上，整合了两颗完整的处理核心，并通过共享二级缓存，进一步提升处理器的性能。
而入门级的单核处理器，核心代号为Cedar Mill。Intel Pentium 4以及Celeron D 同样会采用这一全新的65纳米制造工艺。
这就是新的赛扬D
由上述资料看来英特尔在这次工艺升级当中也给新的赛扬D处理器注入了新的技术，使其在与AMD的市场竞争中更具优势。
这款全制程的赛扬D型处理器现在已经到货厦门,小编赶紧向商家借一颗来试试。这颗C 代号为Cedar Mill的新赛扬D集众多新特性为一身，全新的65nm工艺，512K的二级缓存，更低的运行功耗。试一下这颗低端新星实力到底怎么样？是驴是马拉出来溜溜。 ^^
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| 本篇关键词：赛扬D/cd 352
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| 文章来源：007在线(福建小熊)
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